Struchtúr íogair tras-bhíoma modh scaoileadh iar-CMOS le haghaidh hidreafón veicteoir MEMS

Modh scaoileadh CMOS tar éis struchtúr íogair tras-bhíoma do hidreafón veicteoir mems

réimse teicniúil

1. Baineann an t-aireagán atá ann faoi láthair le réimse na leathsheoltóirí, go háirithe le cosaint ballaí taobh le nítríd sileacain agus scaoileadh creimeadh anisotrópach struchtúir íogair sileacain, go háirithe le modh scaoileadh CMOS tar éis struchtúr íogair tras-bhíoma atá dírithe ar hidreafón veicteoir mems.

Teicníc chúlra:

2. Is féidir le hidreafón veicteoir mems faisnéis veicteoir a bhrath, mar shampla treoluas creathadh na gcáithníní faoi uisce, agus is féidir é a chur i bhfeidhm ar ardáin braite faoi uisce ar nós córais sonar, intumtha gan fhoireann faoi uisce, agus baoithe sonar aer-thite, agus tá aird fhorleathan faighte ar a fheidhmíocht. . Is féidir leis an hidreafón veicteoir mems atá comhtháite le cmos feabhas mór a chur ar fheidhmíocht an hidreafóin veicteora agus tá ionchas forbartha maith aige.

3. Is ábhar teo taighde é comhtháthú iar-CMOS sa scéim um chomhtháthú cmos faoi láthair. Sa scéim seo, is dúshlán ollmhór é conas an próiseas mems a úsáid chun scaoileadh struchtúir a chríochnú faoin mbonn go bhfuil sé ag luí le cmos. Sa phróiseas mems traidisiúnta, úsáidtear photolithography chun an patrún masc a aistriú chuig an wafer sileacain, agus is minic nach bhfuil an cruinneas photolithography sa phróiseas mems chomh maith leis an bpróiseas cmos, agus laghdaíonn na céimeanna photolithography an éifeachtacht táirgthe agus an costas táirgthe a mhéadú. . Is fadhb é freisin nach mór staidéar a dhéanamh air chun olltáirgeadh sliseanna a bhaint amach.

4. Chun an fhadhb seo a réiteach, bunaithe ar struchtúr íogair an hidreafóin veicteoir mems, déanann an t-aireagán láithreach modh scaoileadh mems iar-cmos a dhearadh nach bhfuil gá le liteagrafaíocht agus atá comhoiriúnach le cmos.

Glaoigh orainn:

Email: zhang@pride-cnc.com

Teil: móide 86-755-23699351

Mob: móide 8618666663894